华体会体育·（中国）股份有限公司官网厂：嵌入式电子元器件基板技术趋势

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前言 如今，电子元件或 PWB 已经发生了很大变化。 1C封装正从芯片尺寸的微型化向存储器的三维安装等方向发展，无源元件加速从片式元件向陶瓷覆层元件发展，并向嵌入式无源元件基板模块或1C封装方向发展。 他们开始转向树脂基基板，尤其是嵌入无源和有源元件基板。 硅（Si）芯片也有集成无源元件芯片，是适合1C封装的嵌件基板，加速了嵌入式无源元件基板的发展。 本文介绍了嵌入式电子元件基板的技术趋势。

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电子元器件技术趋势 随着电子器件的小型化、高性能化、多功能化，IC封装从单芯片的QFP、TCP发展到小型BGA、CSP，再到与同等尺寸的晶圆级CSP(d) 裸芯片。 此外，异构IC芯片的二维元件或三维安装的封装（MCP，多芯片封装）或模块化（MCM，多芯片模块）的发展也在加速，基于IC芯片的系统LSI的发展也在加速 很活跃。 随后，由于系统LSI设计的复杂性，长期从事华体会体育·（中国）股份有限公司官网技术研究，在该刊发表多篇文章。

但由于陶瓷基板的脆性，不适用于大薄基板，仅限于特殊的小模块或封装。 此外，当基板受热时，会发生百分之几十的烧结收缩，这使得无法进行电气检查和嵌入高精度元件。 由于无法在烧结前后进行微调，因此很难形成误差值为±1%的电阻。 因此，烧结收缩的波动程度是。

集成无源元件硅衬底趋势 目前，陶瓷基衬底占据了无源元件集成和嵌入式衬底的绝大部分。 然而，最近又推出了采用半导体技术在硅衬底上形成LRC无源元件的集成无源器件（IPD）。 迄今为止，虽然还没有集成无源元件的Si芯片，但Si芯片可以集成半导体1C中难以嵌入的大值无源元件。

陶瓷贴片元器件的方向性 由于微型贴片器件制造和安装难度大，单个元器件的安装效率或可操作性很差，采用相同或不同无源元器件的二维或三维复合器件数量较多 急剧增加。 近来，随着手机数量的快速增加，搭载1C的模块化趋势正在加速。 但是，仅仅停留在电子机器的高性能、多功能、轻量化和小型化是不够的。 数GHz至数十GHz频段的高速、高频、超小型便携机的需求急剧增加。 传统的SMT高密度安装方式，采用基板与电子元器件分离制造、组合的方式，难以满足提高性能、小型化、薄型化的要求。 因此，最近，无源元件和1C被嵌入到基板中，它可以缩短元件之间的连接长度，也可以抑制布线引起的LRC延迟、噪声、发热等问题。 将安装方式从SMT转移到SMT，不仅可以提高电子机的性能，实现电子机的轻量化和小型化，而且由于焊接位置的减少，提高了可靠性，降低了整体安装成本。

陶瓷复合器件中嵌入被动元件的基板最早可以追溯到1970年代开发的低温烧结玻璃陶瓷基板。 lt：800t~900t可嵌入以下烧结基板：烧结厚膜电阻器或厚膜电容器，于20世纪80年代中期实用化。 在这种结构中，LRC等器件印刷在玻璃陶瓷基板上，层压后一次烧结。 但由于选择范围较小，一般只用于特殊用途。 80年代后半叶，钛酸钡（BaTiQ）或在铁氧体等强电介质或强磁体芯片上印刷电极，叠层后烧结成无源复合元件的技术（c）。 由于具有不同烧结收缩率或热膨胀系数的原始芯片的层压和一次同时烧结，需要高度适应成分或烧结工艺的技术，电子元件制造商或陶瓷制造商为此做出了努力。

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